ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ
ПлазмаТех
приносим инновации в ваши технологии
МАГНЕТРОН РАСПЫЛЕНИЯ ПЛАНАРНЫЙ КРУГЛЫЙ
НЕПОСРЕДСТВЕННОГО ОХЛАЖДЕНИЯ МРПК-100НО
НЕПОСРЕДСТВЕННОГО ОХЛАЖДЕНИЯ МРПК-100НО
Магнетроны распыления
Магнетрон предназначен для получения на поверхности изделий тонких покрытий различных электропроводящих материалов, в том числе покрытий на основе металлов и их оксидов, нитридов и карбидов, путем ионного распыления мишени магнетрона, как в среде чистого аргона, так и в смеси с реактивными газами.
Принцип работы магнетрона заключается в распылении мишени ионами, поступающими из газового разряда постоянного и(или) импульсного токов в скрещенных электрическом и магнитном полях, создаваемых над поверхностью мишени и ускоренными в сторону мишени.
Непрерывность газового разряда обеспечивается ионизационным действием электронов плазмы, дрейфующими вдоль замкнутого трека вдоль длинной оси магнетрона, удерживаемого на поверхности мишени (катода) магнитным полем арочной конфигурации.
Принцип работы магнетрона заключается в распылении мишени ионами, поступающими из газового разряда постоянного и(или) импульсного токов в скрещенных электрическом и магнитном полях, создаваемых над поверхностью мишени и ускоренными в сторону мишени.
Непрерывность газового разряда обеспечивается ионизационным действием электронов плазмы, дрейфующими вдоль замкнутого трека вдоль длинной оси магнетрона, удерживаемого на поверхности мишени (катода) магнитным полем арочной конфигурации.
МАГНЕТРОН РАСПЫЛЕНИЯ ПЛАНАРНЫЙ КРУГЛЫЙ КОСВЕННОГО ОХЛАЖДЕНИЯ МРПК-100КО
ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ
Мощность разряда, до, кВт.....12
Ток разряда, до, А.....20
Напряжение разряда, В.....350~900
Электрическая прочность, мах, В.....2000
Рабочее давление газов, Па.....0,03~0,3
Рабочие газы.....Ar, Ar+N2, Ar+O2, Ar+СO
Материал мишени.....Ti, Cu, Al, сплавы, Si
Габариты мишени, мм.....400 х 120 х 6~8
Длина зоны нанесения покрытия, мм.....380
Изменение степени разбалансирования магнитного поля посредством установки до трёх пластин
Материал магнитной системы.....NdFeB N48H
Ток разряда, до, А.....20
Напряжение разряда, В.....350~900
Электрическая прочность, мах, В.....2000
Рабочее давление газов, Па.....0,03~0,3
Рабочие газы.....Ar, Ar+N2, Ar+O2, Ar+СO
Материал мишени.....Ti, Cu, Al, сплавы, Si
Габариты мишени, мм.....400 х 120 х 6~8
Длина зоны нанесения покрытия, мм.....380
Изменение степени разбалансирования магнитного поля посредством установки до трёх пластин
Материал магнитной системы.....NdFeB N48H
ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ
Мощность разряда, до, кВт.....0,05~2,25
Ток разряда, до, А.....0,1~5
Напряжение разряда, В.....350~650
Электрическая прочность, мах, В.....2500
Рабочее давление газов, Па.....0,08~10
Рабочие газы.....Ar, Ar+N2, Ar+O2, Ar+СO
Материал мишени.....Ni, Fe, сплавы типа 79НМ, 80НХС, 82НМП, 50НХС
Габариты мишени, мм.....d100 х 3~7
Диаметр зоны нанесения покрытия на расстоянии 100мм от катода-мишени, мм.....100
Материал магнитной системы.....NdFeB N48H
В каталогТок разряда, до, А.....0,1~5
Напряжение разряда, В.....350~650
Электрическая прочность, мах, В.....2500
Рабочее давление газов, Па.....0,08~10
Рабочие газы.....Ar, Ar+N2, Ar+O2, Ar+СO
Материал мишени.....Ni, Fe, сплавы типа 79НМ, 80НХС, 82НМП, 50НХС
Габариты мишени, мм.....d100 х 3~7
Диаметр зоны нанесения покрытия на расстоянии 100мм от катода-мишени, мм.....100
Материал магнитной системы.....NdFeB N48H
Мощность разряда, до, кВт.....0,05~9
Ток разряда, до, А.....0,1~15
Напряжение разряда, В.....350~900
Электрическая прочность, мах, В.....2500
Рабочее давление газов, Па.....0,08~10
Рабочие газы.....Ar, Ar+N2, Ar+O2, Ar+СO
Материал мишени.....Ti, Cu, Al, V, Sn, сплавы...
Габариты мишени, мм.....d100 х 7~10
Диаметр зоны нанесения покрытия на расстоянии 100мм от катода-мишени, мм.....100
Материал магнитной системы.....NdFeB N48H
Ток разряда, до, А.....0,1~15
Напряжение разряда, В.....350~900
Электрическая прочность, мах, В.....2500
Рабочее давление газов, Па.....0,08~10
Рабочие газы.....Ar, Ar+N2, Ar+O2, Ar+СO
Материал мишени.....Ti, Cu, Al, V, Sn, сплавы...
Габариты мишени, мм.....d100 х 7~10
Диаметр зоны нанесения покрытия на расстоянии 100мм от катода-мишени, мм.....100
Материал магнитной системы.....NdFeB N48H
МАГНЕТРОН РАСПЫЛЕНИЯ ПЛАНАРНЫЙ МП-420
Магнетрон предназначен для получения на поверхности изделий тонких покрытий различных электропроводящих и диэлектрических материалов, в том числе покрытий на основе металлов и их оксидов, нитридов и карбидов, путем ионного распыления катода-мишени, как в среде чистого аргона, так и в смеси с реактивными газами.
Магнетрон рассчитан на размещение внутри рабочей камеры технологических вакуумных установок типа «VSM 100» или аналогичных имеющих установочные фланцы с Ду=25,4мм. Магнетрон имеет изолированный от его штанги-держателя быстросъёмный анод. Два магнетрона могут образовывать дуальную распылительную систему.
Магнетрон рассчитан на размещение внутри рабочей камеры технологических вакуумных установок типа «VSM 100» или аналогичных имеющих установочные фланцы с Ду=25,4мм. Магнетрон имеет изолированный от его штанги-держателя быстросъёмный анод. Два магнетрона могут образовывать дуальную распылительную систему.
Магнетрон предназначен для получения на поверхности изделий тонких покрытий различных электропроводящих и диэлектрических материалов, в том числе покрытий на основе металлов и их оксидов, нитридов и карбидов, путем ионного распыления катода-мишени, как в среде чистого аргона, так и в смеси с реактивными газами.
Магнетрон рассчитан на размещение внутри рабочей камеры технологических вакуумных установок типа «VSM 100» или аналогичных имеющих установочные фланцы с Ду=25,4мм. Магнетрон имеет изолированный от его штанги-держателя быстросъёмный анод. Два магнетрона могут образовывать дуальную распылительную систему.
Магнетрон рассчитан на размещение внутри рабочей камеры технологических вакуумных установок типа «VSM 100» или аналогичных имеющих установочные фланцы с Ду=25,4мм. Магнетрон имеет изолированный от его штанги-держателя быстросъёмный анод. Два магнетрона могут образовывать дуальную распылительную систему.